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FF200R12KT4

发布时刻:2019/6/21 15:19:00 拜访次数:84 发布企业:深圳市明烽威12bet官方网站有限公司

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FF200R12KT4中文材料
功用描绘:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 装备:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱满电压:1.95 V 在25 C的接连集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄

电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
制造商: Infineon
产品品种: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
装备: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的接连集电极电流: 320 A
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
装置风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS代码: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
零件号别号: FF200R12KT4
单位分量: 340 g
半导体 分立半导体 晶体管 IGBT 模块 Infineon Technologies FF200R12KT4
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