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哲瀚署理欧创芯OC5011外推MOS高端电流检测降压LED恒流驱动器

发布时刻:2019/6/21 16:17:00 拜访次数:100 发布企业:深圳市哲瀚12bet官方网站科技有限公司

OC5011是一款高端电流检测降压型高精度高亮度LED恒流驱动操控器。

OC5011经过一个外接电阻设定输出电流,最大输出电流可达5A;电流精度±3%;外围只需很少的元件就可完结降压、恒流驱动功用,并可以经过DIM引脚完结辉度操控功用。
体系选用电感电流滞环操控方法,对负载瞬变具有十分快的呼应,对输入电压 具有高的按捺比; 其电感电流纹波为20%,且最高作业频率可达1MHz。

OC5011特别合适宽输入电压规模的运用,其输入电压规模从5.5V到40V。

OC5011内置过温维护电路,当芯片到达过温维护点,体系当即进入过温维护模式,将下降输入电流以进步体系可靠性。
OC5011特别内置了一个LDO,其输
出电压为5V, 最大可提供5mA电流输出。

OC5011选用小的SOT23-6封装。


特色:

◆最大输出电流:5A
◆高效率:96%
◆高端电流检测
◆最大辉度操控频率:5KHz
◆滞环操控,无需环路补偿
◆最高作业频率:1MHz
◆电流精度:±3%
◆宽输入电压:5.5V~40V
◆过温维护
◆低压差作业时,可坚持高稳定性

运用范畴:

◆修建、工业、环境照明

◆MR16及LED灯

◆轿车照明

升压恒流:

OC6701 3.2~100V 大于输入电压2V以上即可3A以内

OC6700 3.2~60V 大于输入电压2V以上即可 2A以内

OC6702 3.2~100V 大于输入电压2V以上即可 1A以内

降压恒流:

OC5021 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常作业5A以内
OC5020 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常作业 2A以内
OC5022 3.2~60V 最少低于输出电压1V以上就可以正常作业 3A以内
OC5028 3.2~100V 最少低于输出电压1V以上就可以正常作业1.5A以内
OC5011 5~40V 最少低于输出电压1V以上就可以正常作业5A以内
OC5010 5~40V 最少低于输出电压1V以上就可以正常作业2A以内

LED DRIVER DC-DC升降压恒流

OC4001 5~100V 3.2~100V 3A

LED DRIVER DC-DC线性降压恒流

OC7135 2.5-7V 低于等于输入电压即可固定<400mA

OC7131 2.5-7V 低于等于输入电压即可 可外扩,实践电流决定于MOS管功耗
OC7130 2.5-30V 低于等于输入电压即可 实践电流决定于IC全体耗散功率

LED DRIVER DC-DC降压恒流专用IC系列:LED远近光灯专用芯片

OC5200 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常作业 2A以内
OC5208 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常作业 1.5A以内

LED DRIVER DC-DC降压恒流专用IC系列:多功用LED手电筒专用芯片

OC5351 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常作业5A以内
OC5331 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常作业 5A以内

DC-DC降压恒压

OC5801 8~100V最少低于输出电压5V以上就可以正常作业 3A以内

OC5800 8~100V最少低于输出电压5V以上就可以正常作业2A以内

6月20日,据DIGITIMES报导,因为2019年上半年DRAM价格跌落面对沉重压力,尽管现在因为产能调理及正处于商场旺季,致使DRAM需求有所进步,但为了可以进步出产效益及摆开竞赛距离,很多DRAM大厂现已开端竞相研制下一代工艺制程。

因为半导体制程的越来越精密,摩尔定律现已开端遭到严峻冲击,一起越小的制程其所面对的物理限制将越大,制造也将愈加困难。而EUV(极紫外光刻)是一种可以波长为10~14nm的极紫外光作为光源的光刻技能,而荷兰ASML公司所产的EUV光刻机就是其间的代表,不过其价格一般高达1亿美元以上。

三星12bet官方网站现已首先宣告将在本年11月份选用EUV技能制造1znm的DRAM,一起美光、SK海力士都现已在考虑评价EUV设备的需求。因为EUV光刻机昂扬的价格,假如这些厂商开端选用EUV技能将DRAM推入1znm制程,那么将极大进步该范畴的准入门槛。

不过这种挑选明显也是无法之举,现在跟着DRAM商场价格不断走低,即便厂商现现已过减缩产值来削减DRAM的供给,但依然无法有用阻止价格持续下滑。有供给链从业者泄漏,本年第二季度DRAM颗粒报价现已迫临制造原厂的本钱边际,中小型厂商获利将更为困难,因而挑选持续缩小制程来到达节约本钱及获取赢利将成为厂商现在的最佳挑选。

1znm级工艺归于第三代10nm级工艺,但这不代表10nm工艺制程。现在10nm级工艺主要被分为1xnm、1ynm、1znm等,这是因为DRAM在进步小于20nm的制程变得十分困难,因而DRAM内存工艺的线宽目标不再那么准确,而1znm代表工艺制程大概在12~14nm,后续还有1αnm、1βnm等。

现在在DRAM范畴中坚持优势的三星表明,其1znm DRAM即便在不运用EUV设备的情况下,依然可以比现在的1ynm DRAM的产能进步20%,一起在速度及功耗上都有所进步,因而在本年9月份便会正式发动1znm DRAM的量产进展。

不过三星也在近期表明,在11月份选用EUV设备制造的1znm DRAM初期将与韩国华城17产线与晶圆代工厂共用EUV光刻机,随后平泽工厂也将发动EUV DRAM的量产,这将表明三星DRAM工艺将正式引进EUV技能。

除三星以外,SK海力士也在韩国利川县的DRAM工厂中研制在DRAM中选用EUV技能进行出产。有业内人士预估,SK海力士在2019年一切DRAM产品中,将有超越对折归于10nm级DRAM。

而美光也在本年上半年宣告将把DRAM技能面向1znm制程。但此前美光曾表明即便到了1αnm及1βnm工艺节点上,也没有必要运用EUV技能,不过现在情绪发作大转变,或许因为现在DRAM商场下行,有必要藉由进步性能与下降单位本钱来稳固工业竞赛力。

不过跟着很多DRAM大厂连续进军1znm制程,也将对我国DRAM工业形成必定影响。现在我国DRAM出产厂商的代表为合肥长鑫及福建晋华,以合肥长鑫为例,该公司计划在2021年完结对17nm工艺技能的研制,即国产1xnm工艺将在2021年完结,这与世界干流DRAM厂商比较还有5年左右的距离。

但现在因为EUV设备十分贵重,而且EUV光刻机技能现在只把握在荷兰ASML公司手中,即便资金足够也无法当即买到,现在只要中芯世界、华虹等少量厂商可以买到,因而未来还需看我国自己的光刻机技能可以跟上才行。不过因为现在三星现已开端推动1znm工艺制程,后续进入1αnm制程将愈加困难,或许将很难保持一年一个工艺制程的进展,而这也将是国内厂商缩小距离的机遇。


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