位置:12bet官方网站网 » 企业新闻

哲瀚代理欧创芯OC5011外推MOS高端电流检测降压LED恒流驱动器

发布时间:2019/6/21 16:17:00 访问次数:100 发布企业:深圳市哲瀚12bet官方网站科技有限公司

OC5011是一款高端电流检测降压型高精度高亮度LED恒流驱动控制器。

OC5011通过一个外接电阻设定输出电流,最大输出电流可达5A;电流精度±3%;外围只需很少的元件就可实现降压、恒流驱动功能,并可以通过DIM引脚实现辉度控制功能。
系统采用电感电流滞环控制方式,对负载瞬变具有非常快的响应,对输入电压 具有高的抑制比; 其电感电流纹波为20%,且最高工作频率可达1MHz。

OC5011特别适合宽输入电压范围的应用,其输入电压范围从5.5V到40V。

OC5011内置过温保护电路,当芯片达到过温保护点,系统立即进入过温保护模式,将降低输入电流以提高系统可靠性。
OC5011特别内置了一个LDO,其输
出电压为5V, 最大可提供5mA电流输出。

OC5011采用小的SOT23-6封装。


特点:

◆最大输出电流:5A
◆高效率:96%
◆高端电流检测
◆最大辉度控制频率:5KHz
◆滞环控制,无需环路补偿
◆最高工作频率:1MHz
◆电流精度:±3%
◆宽输入电压:5.5V~40V
◆过温保护
◆低压差工作时,可保持高稳定性

应用领域:

◆建筑、工业、环境照明

◆MR16及LED灯

◆汽车照明

升压恒流:

OC6701 3.2~100V 大于输入电压2V以上即可3A以内

OC6700 3.2~60V 大于输入电压2V以上即可 2A以内

OC6702 3.2~100V 大于输入电压2V以上即可 1A以内

降压恒流:

OC5021 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作5A以内
OC5020 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作 2A以内
OC5022 3.2~60V 最少低于输出电压1V以上就可以正常工作 3A以内
OC5028 3.2~100V 最少低于输出电压1V以上就可以正常工作1.5A以内
OC5011 5~40V 最少低于输出电压1V以上就可以正常工作5A以内
OC5010 5~40V 最少低于输出电压1V以上就可以正常工作2A以内

LED DRIVER DC-DC升降压恒流

OC4001 5~100V 3.2~100V 3A

LED DRIVER DC-DC线性降压恒流

OC7135 2.5-7V 低于等于输入电压即可固定<400mA

OC7131 2.5-7V 低于等于输入电压即可 可外扩,实际电流决定于MOS管功耗
OC7130 2.5-30V 低于等于输入电压即可 实际电流决定于IC整体耗散功率

LED DRIVER DC-DC降压恒流专用IC系列:LED远近光灯专用芯片

OC5200 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作 2A以内
OC5208 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作 1.5A以内

LED DRIVER DC-DC降压恒流专用IC系列:多功能LED手电筒专用芯片

OC5351 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作5A以内
OC5331 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作 5A以内

DC-DC降压恒压

OC5801 8~100V最少低于输出电压5V以上就可以正常工作 3A以内

OC5800 8~100V最少低于输出电压5V以上就可以正常工作2A以内

6月20日,据DIGITIMES报道,由于2019年上半年DRAM价格下跌面临沉重压力,虽然目前由于产能调节及正处于市场旺季,致使DRAM需求有所提升,但为了能够提升生产效益及拉开竞争差距,众多DRAM大厂已经开始竞相研制下一代工艺制程。

由于半导体制程的越来越精细,摩尔定律已经开始受到严重冲击,同时越小的制程其所面临的物理制约将越大,制作也将更加困难。而EUV(极紫外光刻)是一种可以波长为10~14nm的极紫外光作为光源的光刻技术,而荷兰ASML公司所产的EUV光刻机便是其中的代表,不过其售价通常高达1亿美元以上。

三星12bet官方网站已经率先宣布将在今年11月份采用EUV技术制作1znm的DRAM,同时美光、SK海力士都已经在考虑评估EUV设备的需求。由于EUV光刻机高昂的售价,如果这些厂商开始采用EUV技术将DRAM推入1znm制程,那么将极大提升该领域的准入门槛。

不过这种选择显然也是无奈之举,如今随着DRAM市场价格不断走低,即使厂商已经通过缩减产量来减少DRAM的供应,但仍然无法有效制止价格继续下滑。有供应链从业者透露,今年第二季度DRAM颗粒报价已经逼近制造原厂的成本边缘,中小型厂商获利将更为困难,因此选择继续缩小制程来达到节省成本及获取利润将成为厂商目前的最佳选择。

1znm级工艺属于第三代10nm级工艺,但这不代表10nm工艺制程。目前10nm级工艺主要被分为1xnm、1ynm、1znm等,这是由于DRAM在提升小于20nm的制程变得非常困难,因此DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确,而1znm代表工艺制程大概在12~14nm,后续还有1αnm、1βnm等。

目前在DRAM领域中保持优势的三星表示,其1znm DRAM即使在不使用EUV设备的情况下,仍然可以比如今的1ynm DRAM的产能提升20%,同时在速度及功耗上都有所提升,因此在今年9月份便会正式启动1znm DRAM的量产进度。

不过三星也在近期表示,在11月份采用EUV设备制作的1znm DRAM初期将与韩国华城17产线与晶圆代工厂共用EUV光刻机,随后平泽工厂也将启动EUV DRAM的量产,这将表示三星DRAM工艺将正式引入EUV技术。

除三星以外,SK海力士也在韩国利川县的DRAM工厂中研发在DRAM中采用EUV技术进行生产。有业内人士预估,SK海力士在2019年所有DRAM产品中,将有超过半数属于10nm级DRAM。

而美光也在今年上半年宣布将把DRAM技术推向1znm制程。但此前美光曾表示即使到了1αnm及1βnm工艺节点上,也没有必要使用EUV技术,不过如今态度发生大转变,或许由于目前DRAM市场下行,必须藉由提高性能与降低单位成本来巩固产业竞争力。

不过随着众多DRAM大厂陆续进军1znm制程,也将对中国DRAM产业造成一定影响。目前中国DRAM生产厂商的代表为合肥长鑫及福建晋华,以合肥长鑫为例,该公司计划在2021年完成对17nm工艺技术的研发,即国产1xnm工艺将在2021年完成,这与国际主流DRAM厂商相比还有5年左右的差距。

但目前由于EUV设备非常昂贵,并且EUV光刻机技术目前只掌握在荷兰ASML公司手中,即使资金充足也无法立即买到,目前只有中芯国际、华虹等少数厂商能够买到,因此未来还需看我国自己的光刻机技术能够跟上才行。不过由于目前三星已经开始推进1znm工艺制程,后续进入1αnm制程将更加困难,或许将很难维持一年一个工艺制程的进度,而这也将是国内厂商缩小差距的时机。


相关新闻

相关型号