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DMP2305U-7

发布时间:2019/6/22 13:50:00 访问次数:78 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:DMP2305U-7

P沟道增强型MOSFET

TransMOSFETP-CH20V4.2A汽车类3脚SOT-23T/R.


产品特征:DMP2305U-7

低导通电阻

60mΩ@VGS=-4.5V

90mΩ@VGS=-2.5V

1100mΩ@VGS=-1.8V

低输入电容

快速切换速度

低输入/输出泄漏

完全无铅且完全符合RoHS标准(注1和2)

卤素和无锑。“绿色”装置(注3)

符合AEC-Q101高可靠性标准

PPAP能力(注4)


机械数据:DMP2305U-7

案例:SOT23

表壳材质:模压塑料,“绿色”成型复合物。

UL可燃性分类等级94V-0

湿度敏感度:J-STD-020的1级

端子:完成哑光锡退火铜引线框架。

可根据MIL-STD-202,方法208进行焊接

终端连接:请参见下图

重量:0.008克(近似值)

制造商 DiodesIncorporated
制造商零件编号 DMP2305U-7
描述 MOSFETP-CH20V4.2ASOT-23
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
原厂标准交货期 14周
详细描述 表面贴装-P-沟道-20V-4.2A(Ta)-1.4W(Ta)-SOT-23-3

一般信息

数据列表 DMP2305U;

标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET,MOSFET-单
系列 -


规格

FET类型 P沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) 4.2A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.8V,4.5V
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 60毫欧@4.2A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV@250μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 7.6nC@4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 727pF@20V
FET功能 -
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3



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