方位:12bet官方网站网 » 企业新闻

DMP2305U-7

发布时刻:2019/6/22 13:50:00 拜访次数:78 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描绘:DMP2305U-7

P沟道增强型MOSFET

TransMOSFETP-CH20V4.2A轿车类3脚SOT-23T/R.


产品特征:DMP2305U-7

低导通电阻

60mΩ@VGS=-4.5V

90mΩ@VGS=-2.5V

1100mΩ@VGS=-1.8V

低输入电容

快速切换速度

低输入/输出走漏

完全无铅且完全契合RoHS规范(注1和2)

卤素和无锑。“绿色”设备(注3)

契合AEC-Q101高可靠性规范

PPAP才能(注4)


机械数据:DMP2305U-7

事例:SOT23

表壳原料:模压塑料,“绿色”成型复合物。

UL可燃性分类等级94V-0

湿度敏感度:J-STD-020的1级

端子:完结哑光锡退火铜引线结构。

可根据MIL-STD-202,办法208进行焊接

终端衔接:请拜见下图

分量:0.008克(近似值)

制造商 DiodesIncorporated
制造商零件编号 DMP2305U-7
描绘 MOSFETP-CH20V4.2ASOT-23
对无铅要求的合格状况/对约束有害物质指令(RoHS)规范的合格状况 无铅/契合约束有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
原厂规范交货期 14周
详细描绘 外表贴装-P-沟道-20V-4.2A(Ta)-1.4W(Ta)-SOT-23-3

一般信息

数据列表 DMP2305U;

规范包装 3,000
包装 规范卷带
零件状况 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET,MOSFET-单
系列 -


规范

FET类型 P沟道
技能 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流-接连漏极(Id)(25°C时) 4.2A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.8V,4.5V
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 60毫欧@4.2A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV@250μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 7.6nC@4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 727pF@20V
FET功用 -
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
装置类型 外表贴装
供给商器材封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3



上一篇:TPS2065DBVR

下一篇:ZXCT1009FTA

相关新闻

相关类型