位置:12bet官方网站网 » 企业新闻

AO3418

发布时间:2019/6/22 13:52:00 访问次数:79 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:AO3418

30VN沟道MOSFET

AO3418采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极工作电压低至2.5V。该设备适合用作负载开关或PWM应用。


产品规格:AO3418

生命周期:

量产

欧盟RoHS

欧盟RoHS版本

2011/65/EU

零件编号代码

查看

描述:AO3418

TransMOSFETN-CH30V3.8A3引脚SOT-23

分类

二极管,晶体管和晶闸管>FET晶体管>MOSFET

产品面世日期

2008-05-0600:00:00

ECCN

EAR99

供应商笼子代码

6USE7

HTSUSA

8541290095

组态

类别

功率MOSFET

频道模式

增强

频道类型

ñ

每个芯片的元素数量

1

最大漏极源电压

30V

最大栅极源电压

±12V

最大连续漏极电流

3.8A

最大漏极源电阻

55@10VmOhm

典型的栅极电荷@Vgs

10@10V|4.7@4.5VnC

典型的栅极电荷@10V

10NC

典型输入电容@Vds

235@15VpF

最大功耗

1400mW

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150℃

基本包装类型

引线框架SMT

包裹姓氏

SOT-23

供应商包装

SOT-23

包装说明

小外形晶体管

铅形状

鸥翼

针数

3

PCB

3

包装长度(mm)

2.9

包装宽度(mm)

1.6

包装高度(mm)

1

坐式平面高度(mm)

1.25(最大)

针距(mm)

0.95

包装材料

塑料

安装

表面贴装

封装外形

下载PDF文档

MSL

1

最大回流温度(°C)

245至260

回流焊时间(秒)

10

回流温度资源

下载PDF文档

波浪温度。资源

下载PDF文档

铅涂层(电镀)

哑光锡

终端底座材料

制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc.
制造商零件编号 AO3418
描述 MOSFETN-CH30V3.8ASOT23
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
原厂标准交货期 26周
详细描述 表面贴装-N-沟道-30V-3.8A(Ta)-1.4W(Ta)-SOT-23-3L
一般信息 数据列表 AO3418;
SOT23PkgDrawing;

标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET,MOSFET-单
系列 -


规格 FET类型 N沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) 3.8A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,10V
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 60毫欧@3.8A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.8V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 3.2nC@4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF@15V
FET功能 -
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3L
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3




上一篇:ZXCT1009FTA

下一篇:SD05-7

相关新闻

相关型号