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TPS53317RGBR

发布时间:2019/6/22 13:59:00 访问次数:86 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:TPS53317RGBR

TPS53317RGBR器件是一款设计为主要用于DDR终端的集成场效应晶体管(FET)同步降压稳压器。它能够提供一个值为½VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317RGBR器件采用D-CAP+运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。该器件还可用于其他电流要求高达6A的负载点(POL)稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的6A完整灌电流输出。

该器件具有两种开关频率设定值(600kHz和1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN引脚欠压锁定(UVLO)保护功能,支持采用陶瓷和SP/POSCAP电容。该器件支持的输入电压最高可达6V,而输出电压在0.6V至2.0V范围内可调。

TPS53317RGBR器件采用3.5mm×4mm20引脚超薄四方扁平无引线(VQFN)封装(绿色环保,符合RoHS标准并且无铅),其中应用了TI专有的集成MOSFET和封装技术,其额定运行温度范围为–40°C至85°C。


产品特性:TPS53317RGBR

采用TI专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和封装技术

支持DDR内存终止,具有高达6A的持续输出源电流或者吸收电流

外部跟踪

最少的外部组件数

1V至6V转换电压

D-CAP+模式架构

支持所有多层片式陶瓷输出电容器和SP/POSCAP

可选跳跃(SKIP)模式或者强制CCM

轻量级负载与重负载下的优化效率

可选600kHz或者1MHz开关频率

可选过流限制(OCL)

过压、过热和断续欠压保护

可调输出电压范围为0.6V至2V

3.5mm×4mm20引脚超薄四方扁平无引线(VQFN)封装


应用:TPS53317RGBR

用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存储器终端稳压器

VTT终止

用于1V至6V输入电源轨的低电压应用

制造商 TexasInstruments
制造商零件编号 TPS53317RGBR
描述 ICREGCONVDDR1OUT20VQFN
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 2(1年)
原厂标准交货期 20周
详细描述 series-转换器-DDR-Voltage-Regulator-IC-1-Output-20-VQFN(3.5x4)

一般信息

数据列表 TPS53317;

标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 集成电路(IC)
产品族 PMIC-稳压器-专用型
系列 D-Cap+™


规格

应用 转换器,DDR
电压-输入 1V~6V
输出数 1
电压-输出 0.6V~2V
工作温度 -40°C~85°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 20-VFQFN裸露焊盘
供应商器件封装 20-VQFN(3.5x4)



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