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FF450R12KT4

发布时刻:2019/6/23 15:45:00 拜访次数:69 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描绘:FF450R12KT4

半桥62mmC系列1200V,450A双IGBT模块,具有快速TRENCHSTOP™IGBT4和优化的发射极操控二极管,是您规划的正确挑选。也可提供散热接口资料。


功用摘要:FF450R12KT4

•频率操控变频器驱动的杰出解决方案

•UL/CSA认证,UL1557E83336

•工作温度高达150°C

•优化的开关特性,如柔软性和下降的开关损耗

•具有更高电流才能的现有封装

•契合RoHS规范


产品长处:FF450R12KT4

•灵活性

•最佳电气功能

•最高的可靠性


方针使用:FF450R12KT4

•电机操控和驱动器

•太阳能体系解决方案

•商业,修建和农用车辆(CAV)

•不间断电源(UPS)

•工业加热和焊接

制造商 InfineonTechnologies 制造商零件编号 FF450R12KT4 描绘 IGBTMODULE1200V450A 对无铅要求的合格状况/对约束有害物质指令(RoHS)规范的合格状况 无铅/契合约束有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 详细描绘 IGBT-Module-沟槽型场截止-半桥-1200V-580A-2400W-底座装置-模块 一般信息 数据列表 FF450R12KT4;
规范包装 10 零件状况 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-IGBT-模块 系列 C
规范 IGBT类型 沟槽型场截止 装备 半桥 电压-集射极击穿(最大值) 1200V 电流-集电极(Ic)(最大值) 580A 功率-最大值 2400W 不同Vge,Ic时的Vce(on) 2.15V@15V,450A 电流-集电极截止(最大值) 5mA 不同Vce时的输入电容(Cies) 28nF@25V 输入 规范 NTC热敏电阻 无 工作温度 -40°C~150°C(TJ) 装置类型 底座装置 封装/外壳 模块 供给商器材封装 模块

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