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2N7002-7-F

发布时间:2019/6/23 15:46:00 访问次数:66 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:2N7002-7-F

N-CHANNEL增强型MOSFET

该MOSFET设计用于最小化导通电阻(RDS(ON))并且仍然保持卓越的开关性能是高效电源管理应用的理想选择。


产品特征:2N7002-7-F

低导通电阻

低门限电压

低输入电容

快速切换速度

小型表面贴装封装

完全无铅且完全符合RoHS标准(注1和2)

卤素和无锑。“绿色”装置(注3和4)

符合AEC-Q101高可靠性标准


机械数据:2N7002-7-F

案例:SOT23

表壳材质:模压塑料,“绿色”成型复合物。UL可燃性分类等级94V-0

湿度敏感度:J-STD-020的1级

端子:MatteTinFinish在Alloy42引线框架上退火

(无铅电镀)。可根据MIL-STD-202,方法208进行焊接

终端连接:请参见图表

重量:0.008克(近似值)


应用:2N7002-7-F

电机控制

电源管理功能

制造商 DiodesIncorporated 制造商零件编号 2N7002-7-F 描述 MOSFETN-CH60V115MASOT23-3 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 详细描述 表面贴装-N-沟道-60V-115mA(Ta)-370mW(Ta)-SOT-23-3 一般信息 数据列表 2N7002Datasheet;
标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 -
规格 FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 115mA(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 7.5欧姆@50mA,5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V@250μA Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF@25V FET功能 - 功率耗散(最大值) 370mW(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 SOT-23-3 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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