方位:12bet官方网站网 » 企业新闻

2N7002-7-F

发布时刻:2019/6/23 15:46:00 拜访次数:66 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描绘:2N7002-7-F

N-CHANNEL增强型MOSFET

该MOSFET规划用于最小化导通电阻(RDS(ON))而且依然坚持杰出的开关功用是高效电源办理使用的抱负挑选。


产品特征:2N7002-7-F

低导通电阻

低门限电压

低输入电容

快速切换速度

小型外表贴装封装

完全无铅且完全契合RoHS规范(注1和2)

卤素和无锑。“绿色”设备(注3和4)

契合AEC-Q101高可靠性规范


机械数据:2N7002-7-F

事例:SOT23

表壳原料:模压塑料,“绿色”成型复合物。UL可燃性分类等级94V-0

湿度敏感度:J-STD-020的1级

端子:MatteTinFinish在Alloy42引线框架上退火

(无铅电镀)。可根据MIL-STD-202,办法208进行焊接

终端衔接:请拜见图表

分量:0.008克(近似值)


使用:2N7002-7-F

电机操控

电源办理功用

制造商 DiodesIncorporated 制造商零件编号 2N7002-7-F 描绘 MOSFETN-CH60V115MASOT23-3 对无铅要求的合格状况/对约束有害物质指令(RoHS)规范的合格状况 无铅/契合约束有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 详细描绘 外表贴装-N-沟道-60V-115mA(Ta)-370mW(Ta)-SOT-23-3 一般信息 数据列表 2N7002Datasheet;
规范包装 3,000 包装 规范卷带 零件状况 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 -
规范 FET类型 N沟道 技能 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流-接连漏极(Id)(25°C时) 115mA(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 7.5欧姆@50mA,5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V@250μA Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF@25V FET功用 - 功率耗散(最大值) 370mW(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 装置类型 外表贴装 供给商器材封装 SOT-23-3 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

上一篇:FF450R12KT4

下一篇:DMG1012T-7

相关新闻

相关类型