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DMG1012T-7

发布时间:2019/6/23 15:47:00 访问次数:67 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:DMG1012T-7

N沟道增强型MOSFET


产品特征:DMG1012T-7

低导通电阻

低门限电压

低输入电容

快速切换速度

低输入/输出泄漏

ESD保护高达2kV

完全无铅且完全符合RoHS标准(注1和2)

卤素和无锑。“绿色”装置(注3)

符合AEC-Q101高可靠性标准

PPAP能力(注4)


机械数据:DMG1012T-7

案例:SOT523

表壳材质:模压塑料,“绿色”成型复合物。UL可燃性分类等级94V-0

湿度敏感度:J-STD-020的1级

端子:完成哑光锡退火合金42引线框架。可根据MIL-STD-202,方法208进行焊接

终端连接:请参见图表

重量:0.002克(近似值)

制造商 DiodesIncorporated
制造商零件编号 DMG1012T-7
描述 MOSFETN-CH20V630MASOT-523
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
原厂标准交货期 14周
详细描述 表面贴装-N-沟道-20V-630mA(Ta)-280mW(Ta)-SOT-523
一般信息 数据列表 DMG1012T;

标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET,MOSFET-单
系列 -


规格 FET类型 N沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) 630mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.8V,4.5V
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 400毫欧@600mA,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) .74nC@4.5V
Vgs(最大值) ±6V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 60.67pF@16V
FET功能 -
功率耗散(最大值) 280mW(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-523
封装/外壳 SOT-523




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