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2N7002ET1G

发布时刻:2019/6/23 15:48:00 拜访次数:74 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描绘:2N7002ET1G

2N7002ET1G:N沟道小信号MOSFET60V,310mA,2.5Ω

N沟道MOSFET,小信号,60V,310mA,2.5Ω沟槽,N沟道,SOT23


特性优势:2N7002ET1G

低RDS(上)

进步体系功率小

节约空间

海沟技能

契合RoHS规范


使用:2N7002ET1G

低侧负载开关

电平转化电路

DC-DC转化器

便携式使用,如DSC,PDA,手机等


终端产品:2N7002ET1G

DSC

PDA

手机

制造商 ONSemiconductor 制造商零件编号 2N7002ET1G 描绘 MOSFETN-CH60V260MASOT-23 对无铅要求的合格状况/对约束有害物质指令(RoHS)规范的合格状况 无铅/契合约束有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂规范交货期 4周 详细描绘 外表贴装-N-沟道-60V-260mA(Ta)-300mW(Tj)-SOT-23-3(TO-236) 一般信息 数据列表 2N7002EDatasheet;
规范包装 3,000 包装 规范卷带 零件状况 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 -
规范 FET类型 N沟道 技能 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流-接连漏极(Id)(25°C时) 260mA(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 2.5欧姆@240mA,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) .81nC@5V Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 26.7pF@25V FET功用 - 功率耗散(最大值) 300mW(Tj) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 装置类型 外表贴装 供给商器材封装 SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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