位置:12bet官方网站网 » 企业新闻

MMBT589LT1G

发布时间:2019/6/23 15:49:00 访问次数:104 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:MMBT589LT1G

MMBT589LT1G:30V,1.0A高电流PNP低VCE(sat)双极晶体管

低VCE(sat)双极晶体管是微型表面贴装器件,具有超低饱和电压VCE(sat)和高电流增益能力。它们设计用于低电压,高速开关应用,其中经济实惠的高效能量控制非常重要。


产品特性:MMBT589LT1G

低rDS(on)可提供更高的效率并延长电池寿命

微型SOT-23表面贴装封装可节省电路板空间

提供无铅封装

适用于汽车和其他应用的NSV前缀,需要独特的站点和控制变更要求;AECQ101合格且PPAP能力

制造商 ONSemiconductor 制造商零件编号 MMBT589LT1G 描述 TRANSPNP30V1ASOT-23 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 8周 详细描述 双极-BJT-晶体管-PNP-30V-1A-100MHz-310mW-表面贴装-SOT-23-3(TO-236) 一般信息 数据列表 MMBT,BSVMMBT589LT1G;
标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-双极(BJT)-单 系列 -
规格 晶体管类型 PNP 电流-集电极(Ic)(最大值) 1A 电压-集射极击穿(最大值) 30V 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值) 650mV@200mA,2A 电流-集电极截止(最大值) 100nA 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值) 100@500mA,2V 功率-最大值 310mW 频率-跃迁 100MHz 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

上一篇:MUR460RLG

下一篇:PZT2222AT1G

相关新闻

相关型号