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必须尽可能减小旁路晶体管基极-发射极的杂散电容

发布时间:2019/6/23 18:02:47 访问次数:522

    注意事项

   (1)必须尽可能减小旁路晶体管基极-发射极的杂散电容。

   在非常高的频率下,必须将这种杂散电容调谐掉,其做法如下:取下晶体管,将高输入阻抗的信号探测器VD连接到基极和地之间;然后调节电容C1直到探测器指示出Ll和电容产生并联谐振。然后把开关S转换到2的位置上, G6J-2P-Y-DC5V并用一个与探测器阻抗相等的阻抗Z代替探测器。

   (2)尤其重要的是要尽量避免发射极引线分布电感的影响。

   (3)必须按电路所示进行屏蔽,以避免测试信号不经过晶体管而直接在基极和集电极之间传输。可使用下述方法来证实基极与集电极之间的屏蔽是否符合要求:

   取下晶体管,在基极和发射极插座之间插入阻值近似等于晶体管输入阻抗的电阻。


   电路说明和要求

    电阻器R1的值决定通态电流,此电流必须足够大,以保证晶闸管完全开通。数控恒压源应提供低电源电压,此电压最好为12V或更低。

   (1)设定规定温度值;

   (2)逐渐增加门极电流至晶闸管刚好开通,在电流表处显示通态电流;

   (3)门极触发电流是测量的最大电流值,门极触发电压是测量的电压值。

   规定条件

   (1)环境,管壳或基准点温度;

   (2)断态电压(如不是交流12V峰值时规定);

   (3)交流发生器的频率(当大于65Hz时规定);

   (4)门极电路限流电阻器△。




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